BSZ0909NDXTMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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BSZ0909NDXTMA1
Numéro de produit DigiKey	BSZ0909NDXTMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSZ0909NDXTMA1
Description	MOSFET 2N-CH 30V 20A WISON-8
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 20 A (Tc) 17W Montage en surface PG-WISON-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique, attaque 4,5V
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2,6nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	360pF à 15V
Puissance - Max.	17W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerVDFN
Boîtier fournisseur	PG-WISON-8
Numéro de produit de base	BSZ0909