Name: BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0811NDATMA1TR-ND
Price: 3 EUR
Availability: InStock

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BSG0811NDATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSG0811NDATMA1TR-ND - Bande et bobine BSG0811NDATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSG0811NDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSG0811NDATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 25V 19 A, 41 A 2,5W Montage en surface PG-TISON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSG0811NDATMA1 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 à canal N (double), asymétriques
Fonction FET	Porte de niveau logique, attaque 4,5V
Tension drain-source (Vdss)	25V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	19 A, 41 A
Rds On (max.) à Id, Vgs	3mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8,4nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1100pF à 12V
Puissance - Max.	2,5W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur	PG-TISON-8
Numéro de produit de base	BSG0811

Prix unitaire sans TVA:	2,50000 €
Prix unitaire avec TVA:	3,00000 €

BSG0811NDATMA1