Name: BSG0811NDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSG0811NDATMA1TR-ND
Price: 3.708 EUR
Availability: InStock

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BSG0811NDATMA1
Numéro de produit DigiKey	BSG0811NDATMA1TR-ND - Bande et bobine BSG0811NDATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSG0811NDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSG0811NDATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 25V 19 A, 41 A 2,5W Montage en surface PG-TISON-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSG0811NDATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 3mohms à 20A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Série OptiMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 8,4nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1100pF à 12V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2,5W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 à canal N (double), asymétriques	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique, attaque 4,5V	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss) 25V	Boîtier fournisseur PG-TISON-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19 A, 41 A	Numéro de produit de base BSG0811

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 54 311

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®