Name: AUIRF7769L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7769L2TR-ND
Price: 8.016 EUR
Availability: InStock

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AUIRF7769L2TR
Numéro de produit DigiKey	448-AUIRF7769L2TR-ND - Bande et bobine 448-AUIRF7769L2TRCT-ND - Bande coupée (CT) 448-AUIRF7769L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	AUIRF7769L2TR
Description	MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 375 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface DirectFET™ Isometric L8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	AUIRF7769L2TR Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	375 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,5mohms à 74A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	11560 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,3W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	DirectFET™ Isometric L8
Boîtier	DirectFET™ Isometric L8
Numéro de produit de base	AUIRF7769