Name: IRFD112
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD112-ND
Price: 0.56093 EUR
Availability: InStock

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IRFD112
Numéro de produit DigiKey	2156-IRFD112-ND
Fabricant	Harris Corporation
Numéro de produit du fabricant	IRFD112
Description	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 800mA (Tc) 1W (Tc) Trou traversant 4-DIP, Hexdip
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Harris Corporation	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 7 nC @ 10 V
Conditionnement En vrac	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 135 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 1W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 800mA (Tc)	Boîtier fournisseur 4-DIP, Hexdip
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier 4-DIP (0,300po, 7,62mm)
Rds On (max.) à Id, Vgs 800mohms à 800mA, 10V

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Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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