Name: GT023N10TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT023N10TLTR-ND
Price: 4.752 EUR
Availability: InStock

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GT023N10TL
Numéro de produit DigiKey	3141-GT023N10TLTR-ND - Bande et bobine 3141-GT023N10TLCT-ND - Bande coupée (CT) 3141-GT023N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GT023N10TL
Description	MOSFET N-CH 100V 330A TOLL-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 330A (Tc) 395W (Tc) Montage en surface TOLL-8L
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	SGT
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	330A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,9mohms à 80A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	121 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	8058 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	395W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TOLL-8L
Boîtier	8-PowerSFN