Name: GT010N10TL
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-GT010N10TLTR-ND
Price: 5.916 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

GT010N10TL
Numéro de produit DigiKey	3141-GT010N10TLTR-ND - Bande et bobine 3141-GT010N10TLCT-ND - Bande coupée (CT) 3141-GT010N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	GT010N10TL
Description	MOSFET N-CH 100V 370A 400W 1.35M
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 370 A (Tc) 400W (Tc) Montage en surface
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Fabricant Goford Semiconductor	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,35mohms à 50A, 10V
Série SGT	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 184 nC @ 10 V
Statut du composant Actif	Vgs (max.) 20V
Type de FET Canal N	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 13166 pF @ 50 V
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Dissipation de puissance (max.) 400W (Tc)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 370 A (Tc)	Type de montage Montage en surface