Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 0.888 EUR
Availability: OutOfStock

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G2K2P10D3E
Numéro de produit DigiKey	3141-G2K2P10D3ETR-ND - Bande et bobine 3141-G2K2P10D3ECT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G2K2P10D3EDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G2K2P10D3E
Description	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 100 V 10 A (Tc) 31W (Tc) Montage en surface 8-DFN (3,15x3,05)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	210mohms à -6A, -10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1668 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	31W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-DFN (3,15x3,05)
Boîtier	8-PowerVDFN

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