Name: G080N10M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080N10MTR-ND
Price: 2.82 EUR
Availability: InStock

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G080N10M
Numéro de produit DigiKey	3141-G080N10MTR-ND - Bande et bobine 3141-G080N10MCT-ND - Bande coupée (CT) 3141-G080N10MDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Goford Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	G080N10M
Description	MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Montage en surface TO-263
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Goford Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,5mohms à 30A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	107 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13950 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	370W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB