GE12090CDA3
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GE12090CDA3
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GE12090CDA3

Numéro de produit DigiKey
4014-GE12090CDA3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
GE12090CDA3
Description
MOSFET 2N-CH 1200V 875A MODULE
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 875A 2 350W Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
GE Aerospace
Série
*
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
2 canaux N (demi-pont)
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
875A
Rds On (max.) à Id, Vgs
2,19mohms à 950A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 320mA
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
58,6nF à 600V
Puissance - Max.
2 350W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
Module
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En stock: 4
PRODUIT MARKETPLACE
Expédition sous environ 10 jours de GE Aerospace
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Tous les prix sont en EUR
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
13 705,27000 €3 705,27 €
Prix unitaire sans TVA:3 705,27000 €
Prix unitaire avec TVA:4 446,32400 €