GE17045EEA3
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GE17045EEA3
GE17045EEA3
GE17045EEA3

GE12050EEA3

Numéro de produit DigiKey
4014-GE12050EEA3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
GE12050EEA3
Description
MOSFET 6N-CH 1200V 475A MODULE
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 475A 1250W Montage sur châssis Module
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
GE Aerospace
Série
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
6 canaux N (pont triphasé)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
475A
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,4mohms à 475A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 160mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1248nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
29300pF à 600V
Puissance - Max.
1250W
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage sur châssis
Boîtier
Module
Boîtier fournisseur
Module
Numéro de produit de base
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En stock: 5
PRODUIT MARKETPLACE
Expédition sous environ 10 jours de GE Aerospace
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Tous les prix sont en EUR
En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
17 599,70000 €7 599,70 €
Prix unitaire sans TVA:7 599,70000 €
Prix unitaire avec TVA:9 119,64000 €