Canal N 650 V 30A Montage en surface MATRICE
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GPI65030DFN

Numéro de produit DigiKey
4025-GPI65030DFNTR-ND - Bande et bobine
Fabricant
GaNPower
Numéro de produit du fabricant
GPI65030DFN
Description
GANFET N-CH 650V 30A DFN8X8
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 30A Montage en surface MATRICE
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
GaNPower
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
30A
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V
Vgs(th) (max.) à Id
1,2V à 3,5mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
5.8 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+7,5V, -12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
241 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
MATRICE
Boîtier
MATRICE
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En stock: 975
PRODUIT MARKETPLACE
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