Name: FMOS2SK3018-Q1-H
Brand: Formosa Microsemi Co., Ltd.
SKU: 3584-FMOS2SK3018-Q1-HTR-ND
Price: 0.02286 EUR
Availability: InStock

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FMOS2SK3018-Q1-H
Numéro de produit DigiKey	3584-FMOS2SK3018-Q1-HTR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Formosa Microsemi Co., Ltd.
Numéro de produit du fabricant	FMOS2SK3018-Q1-H
Description	0.1A 30V N-Channel Enhancement M
Référence client
Description détaillée	Canal N 100mA (Ta) 350mW (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Formosa Microsemi Co., Ltd.
Série	*
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8ohms à 10mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 100µA
Vgs (max.)	±20V
Fonction FET	Porte de niveau logique, attaque 4V
Dissipation de puissance (max.)	350mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23
Boîtier	SOT-23-3