RF MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
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RF MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
4 SMDB, No Lead

FBG20N18BSH

Numéro de produit DigiKey
4107-FBG20N18BSH-ND
Fabricant
EPC Space, LLC
Numéro de produit du fabricant
FBG20N18BSH
Description
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
10 semaines
Référence client
Description détaillée
RF MOSFET 100 V 18 A 4-SMD
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
EPC Space, LLC
Série
eGaN®
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
GaN HEMT
Configuration
Canal N
Fréquence
-
Gain
-
Tension - Test
100 V
Courant nominal (A)
-
Facteur de bruit
-
Courant - Test
18 A
Puissance - Sortie
-
Tension - Nominale
200 V
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
4-SMD, sans plomb
Boîtier fournisseur
4-SMD
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Quantité
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
1328,81000 €328,81 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:328,81000 €
Prix unitaire avec TVA:394,57200 €
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