Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 2.088 EUR
Availability: InStock

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DI2A2N100D1K
Numéro de produit DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Bande et bobine 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Bande coupée (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	DI2A2N100D1K
Description	MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1000 V 2,2 A (Tc) 30W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DI2A2N100D1K Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diotec Semiconductor
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	1000 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	2,2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6,8ohms à 1,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	510 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-252 (DPAK)
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63