Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 2.184 EUR
Availability: InStock

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DI2A2N100D1K
Numéro de produit DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Bande et bobine 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Bande coupée (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	DI2A2N100D1K
Description	MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 1000 V 2,2 A (Tc) 30W (Tc) Montage en surface TO-252 (DPAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DI2A2N100D1K Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Diotec Semiconductor	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±25V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 510 pF @ 25 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 30W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 1000 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,2 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252 (DPAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,8ohms à 1,5A, 10V