Name: DI200N10D2
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI200N10D2-ND
Price: 3.612 EUR
Availability: InStock

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DI200N10D2
Numéro de produit DigiKey	4878-DI200N10D2-ND
Fabricant	Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	DI200N10D2
Description	MOSFET D2PAK N 100V 200A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 200 A (Tc) 340W (Tc) Montage en surface TO-263AB (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DI200N10D2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diotec Semiconductor
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	2.3mOhm @ 120A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	262 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	16800 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	340W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263AB (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB

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