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DI0A35N06PGK-AQ
Diotec Semiconductor
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Fiche technique
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Canal N 60 V 350mA 223mW Montage en surface DFN1006-3
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DI0A35N06PGK

Numéro de produit DigiKey
4878-DI0A35N06PGK-ND
Fabricant
Diotec Semiconductor
Numéro de produit du fabricant
DI0A35N06PGK
Description
MOSFET N-CH 60V 350MA SC-101
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 60 V 350mA 223mW Montage en surface DFN1006-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DI0A35N06PGK Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diotec Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
350mA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
2,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,4ohms à 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
32 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
223mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
DFN1006-3
Boîtier
SC-101, SOT-883
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Quantité
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En vrac
Quantité Prix unitaire Prix total
10 0000,02500 €250,00 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,02500 €
Prix unitaire avec TVA:0,03000 €