MOSFET - Matrices 30V 27A (Tc), 18A (Tc) 10,8W (Tc) Montage en surface 8-QFN (3x3)
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DI018C03PT

Numéro de produit DigiKey
4878-DI018C03PT-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DI018C03PT
Description
MOSFET N/P-CH 30V 27A 8QFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
8 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 27A (Tc), 18A (Tc) 10,8W (Tc) Montage en surface 8-QFN (3x3)
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DI018C03PT Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diotec Semiconductor
Série
-
Conditionnement
En vrac
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canaux N et P
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
27A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
9,3mohms à 15A, 10V, 30,1mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
12nC à 4,5V, 20nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1122pF à 15V, 1150pF à 20V
Puissance - Max.
10,8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
8-PowerVDFN
Boîtier fournisseur
8-QFN (3x3)
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Quantité Prix unitaire Prix total
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Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,19685 €
Prix unitaire avec TVA:0,23622 €