Name: ZXMN6A08GQTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-ZXMN6A08GQTATR-ND
Price: 1.524 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

ZXMN6A08GQTA
Numéro de produit DigiKey	31-ZXMN6A08GQTATR-ND - Bande et bobine 31-ZXMN6A08GQTACT-ND - Bande coupée (CT) 31-ZXMN6A08GQTADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	ZXMN6A08GQTA
Description	MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 3,8 A (Ta) 2W (Ta) Montage en surface SOT-223-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.8 nC @ 10 V
Fabricant Diodes Incorporated	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 459 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,8 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur SOT-223-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 80mohms à 4,8A, 10V	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA	Numéro de produit de base ZXMN6

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 1 408

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine