Équivalent paramétrique

DMWSH120H28SCT7Q-13 | |
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Numéro de produit DigiKey | 31-DMWSH120H28SCT7Q-13TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMWSH120H28SCT7Q-13 |
Description | SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 1200 V 85,5A (Tj) 312W (Tc) Montage en surface TO-263-7 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 184 nC @ 15 V |
Fabricant | Vgs (max.) +19V, -8V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3864 pF @ 1000 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 312W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Grade Automobile |
Tension drain-source (Vdss) 1200 V | Qualification AEC-Q101 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Type de montage Montage en surface |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 15V | Boîtier fournisseur TO-263-7 |
Rds On (max.) à Id, Vgs 28.5mohms à 50A, 15V | Boîtier |
Vgs(th) (max.) à Id 3,6V à 17,7mA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMWSH120H28SCT7Q | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMWSH120H28SCT7Q-ND | 20,61440 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | 16,73241 € | 13 385,93 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 16,73241 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 20,07889 € |

