Name: DMTH43M8LFGQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND
Price: 1.176 EUR
Availability: InStock

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DMTH43M8LFGQ-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH43M8LFGQ-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH43M8LFGQ-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH43M8LFGQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH43M8LFGQ-13
Description	MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 24 A (Ta), 100 A (Tc) 2,62W (Ta), 65,2W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMTH43M8LFGQ-13 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	24 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	40.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2798 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,62W (Ta), 65,2W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	POWERDI3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMTH43