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Canal N 40 V 24 A (Ta), 100 A (Tc) 2,62W (Ta), 65,2W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
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DMTH43M8LFG-13

Numéro de produit DigiKey
DMTH43M8LFG-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMTH43M8LFG-13
Description
MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 24 A (Ta), 100 A (Tc) 2,62W (Ta), 65,2W (Tc) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
24 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
3mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
40.1 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2798 pF @ 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,62W (Ta), 65,2W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
POWERDI3333-8
Boîtier
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
DMTH43
Questions et réponses sur les produits

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Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,33566 €1 006,98 €
6 0000,31196 €1 871,76 €
9 0000,31003 €2 790,27 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,33566 €
Prix unitaire avec TVA:0,40279 €