Name: DMTH10H1M5STTW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND
Price: 6.048 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMTH10H1M5STTW-13
Numéro de produit DigiKey	31-DMTH10H1M5STTW-13TR-ND - Bande et bobine 31-DMTH10H1M5STTW-13CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMTH10H1M5STTW-13DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMTH10H1M5STTW-13
Description	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 386A (Tc) 4,92W (Ta), 535,7W (Tc) Montage en surface PowerDI1015-16
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	386A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,7mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	214 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	13039 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	4,92W (Ta), 535,7W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI1015-16
Boîtier	Module 16-PowerSOP