Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique
Équivalent paramétrique

DMTH10H032LDVWQ-7 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 31-DMTH10H032LDVWQ-7TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMTH10H032LDVWQ-7 |
Description | MOSFET 2N-CH 100V 7.2A PWRDI3333 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 40 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 100V 7,2 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface PowerDI3333-8 (SWP) (type UXD) |
Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11,9nC à 10V |
Fabricant Diodes Incorporated | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 683pF à 50V |
Conditionnement Bande et bobine | Puissance - Max. 1,5W (Ta) |
Statut du composant Actif | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies MOSFET (oxyde métallique) | Grade Automobile |
Configuration 2 canaux N (double) | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 100V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,2 A (Ta) | Boîtier 8-PowerVDFN |
Rds On (max.) à Id, Vgs 32mohms à 5A, 10V | Boîtier fournisseur PowerDI3333-8 (SWP) (type UXD) |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMTH10H032LDVW-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH10H032LDVW-13TR-ND | 0,29829 € | Équivalent paramétrique |
| DMTH10H032LDVW-7 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH10H032LDVW-7TR-ND | 0,29829 € | Équivalent paramétrique |
| DMTH10H032LDVWQ-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMTH10H032LDVWQ-13TR-ND | 0,28882 € | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 0,30292 € | 605,84 € |
| 4 000 | 0,27966 € | 1 118,64 € |
| 6 000 | 0,26781 € | 1 606,86 € |
| 10 000 | 0,26028 € | 2 602,80 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,30292 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,36350 € |

