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Diodes Incorporated
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DMTH10H032LDVWQ-7

Numéro de produit DigiKey
31-DMTH10H032LDVWQ-7TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMTH10H032LDVWQ-7
Description
MOSFET 2N-CH 100V 7.2A PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 100V 7,2 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface PowerDI3333-8 (SWP) (type UXD)
Attributs du produit
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Catégorie
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11,9nC à 10V
Fabricant
Diodes Incorporated
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
683pF à 50V
Conditionnement
Bande et bobine
Puissance - Max.
1,5W (Ta)
Statut du composant
Actif
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Grade
Automobile
Configuration
2 canaux N (double)
Qualification
AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss)
100V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
7,2 A (Ta)
Boîtier
8-PowerVDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs
32mohms à 5A, 10V
Boîtier fournisseur
PowerDI3333-8 (SWP) (type UXD)
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
DMTH10H032LDVW-13Diodes Incorporated031-DMTH10H032LDVW-13TR-ND0,29829 €Équivalent paramétrique
DMTH10H032LDVW-7Diodes Incorporated031-DMTH10H032LDVW-7TR-ND0,29829 €Équivalent paramétrique
DMTH10H032LDVWQ-13Diodes Incorporated031-DMTH10H032LDVWQ-13TR-ND0,28882 €Équivalent paramétrique
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Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 0000,30292 €605,84 €
4 0000,27966 €1 118,64 €
6 0000,26781 €1 606,86 €
10 0000,26028 €2 602,80 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,30292 €
Prix unitaire avec TVA:0,36350 €