Name: DMT6016LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6016LSS-13DITR-ND
Price: 0.984 EUR
Availability: OutOfStock

DMT6016LSS-13
Numéro de produit DigiKey	DMT6016LSS-13DITR-ND - Bande et bobine DMT6016LSS-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMT6016LSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT6016LSS-13
Description	MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 9,2 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMT6016LSS-13 Modèles

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	9,2 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	18mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	864 pF @ 30 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	8-SO
Boîtier	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Numéro de produit de base	DMT6016

Prix unitaire sans TVA:	0,82000 €
Prix unitaire avec TVA:	0,98400 €

DMT6016LSS-13