Name: DMT3002LPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT3002LPS-13-ND
Price: 0.55273 EUR
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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DMT3002LPS-13
Numéro de produit DigiKey	DMT3002LPS-13-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT3002LPS-13
Description	MOSFET N-CH 30V 100A PWRDI5060-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 100 A (Tc) 1,2W (Ta), 136W (Tc) Montage en surface PowerDI5060-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,6mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	77 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	5000 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,2W (Ta), 136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerDI5060-8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	DMT3002

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Quantité

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Bande et bobine