Name: DMT12H060LFDF-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H060LFDF-7TR-ND
Price: 1.032 EUR
Availability: InStock

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DMT12H060LFDF-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMT12H060LFDF-7TR-ND - Bande et bobine 31-DMT12H060LFDF-7CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMT12H060LFDF-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT12H060LFDF-7
Description	MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 115 V 4,4 A (Ta) 1,1W (Ta) Montage en surface U-DFN2020-6 (Type F)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	115 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	4,4 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	65mohms à 3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	475 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	U-DFN2020-6 (Type F)
Boîtier	6-UDFN plot exposé
Numéro de produit de base	DMT12