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DMT10H015LCG-13 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | DMT10H015LCG-13-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | DMT10H015LCG-13 |
Description | MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 9,4 A (Ta), 34 A (Tc) 1W (Ta) Montage en surface V-DFN3333-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | DMT10H015LCG-13 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33.3 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1871 pF @ 50 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 1W (Ta) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur V-DFN3333-8 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 15mohms à 20A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| DMT10H015LCG-7 | Diodes Incorporated | 2 595 | 31-DMT10H015LCG-7CT-ND | 1,56000 € | Équivalent paramétrique |
| IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | 0 | 448-IRFH5110TRPBFTR-ND | 0,00000 € | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,44252 € | 1 327,56 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,44252 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,53102 € |
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