Name: DMT10H010LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT10H010LK3-13DITR-ND
Price: 2.268 EUR
Availability: InStock

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DMT10H010LK3-13
Numéro de produit DigiKey	DMT10H010LK3-13DITR-ND - Bande et bobine DMT10H010LK3-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMT10H010LK3-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMT10H010LK3-13
Description	MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 68,8 A (Tc) 3W (Ta) Montage en surface TO-252-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 53.7 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2592 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 68,8 A (Tc)	Boîtier fournisseur TO-252-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,8mohms à 13A, 10V	Numéro de produit de base DMT10