DMP58D0LFB-7 Diodes Incorporated | Produits semi-conducteurs discrets

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DMP58D0LFB-7
Numéro de produit DigiKey	DMP58D0LFB-7DITR-ND - Bande et bobine DMP58D0LFB-7DICT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP58D0LFB-7
Description	MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN
Référence client
Description détaillée	Canal P 50 V 180mA (Ta) 470mW (Ta) Montage en surface X1-DFN1006-3
Modèles EDA/CAO	DMP58D0LFB-7 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	180mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8ohms à 100mA, 5V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 250µA
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	27 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	470mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X1-DFN1006-3
Boîtier	3-UFDFN
Numéro de produit de base	DMP58