Name: DMP56D0UFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP56D0UFB-7BDITR-ND
Price: 0.42 EUR
Availability: InStock

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DMP56D0UFB-7B
Numéro de produit DigiKey	DMP56D0UFB-7BDITR-ND - Bande et bobine DMP56D0UFB-7BDICT-ND - Bande coupée (CT) DMP56D0UFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMP56D0UFB-7B
Description	MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Montage en surface X1-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	200mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs	6ohms à 100mA, 4V
Vgs(th) (max.) à Id	1,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0.58 nC @ 4 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	50.54 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	425mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X1-DFN1006-3
Boîtier	3-UFDFN
Numéro de produit de base	DMP56

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