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DMNH6035SPDW-13
Diodes Incorporated
En stock: 1 132
Prix unitaire : 1,72000 €
Fiche technique
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MOSFET - Matrices 60V 33 A (Tc) 2,4W (Ta), 68W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type R)
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MOSFET - Matrices 60V 33 A (Tc) 2,4W (Ta), 68W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type R)
PowerDI5060-8

DMNH6035SPDWQ-13

Numéro de produit DigiKey
DMNH6035SPDWQ-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMNH6035SPDWQ-13
Description
MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
40 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 33 A (Tc) 2,4W (Ta), 68W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles PowerDI5060-8 (Type R)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
33 A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
35mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
16nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
879pF à 25V
Puissance - Max.
2,4W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automobile
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier
8-PowerTDFN
Boîtier fournisseur
PowerDI5060-8 (Type R)
Numéro de produit de base
DMNH6035
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
2 5000,39392 €984,80 €
5 0000,36633 €1 831,65 €
7 5000,36620 €2 746,50 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,39392 €
Prix unitaire avec TVA:0,47270 €
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