Name: DMN63D8LDW-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN63D8LDW-7TR-ND
Price: 0.264 EUR
Availability: InStock

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DMN63D8LDW-7
Numéro de produit DigiKey	DMN63D8LDW-7TR-ND - Bande et bobine DMN63D8LDW-7CT-ND - Bande coupée (CT) DMN63D8LDW-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN63D8LDW-7
Description	MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 220mA 300mW Montage en surface SOT-363
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMN63D8LDW-7 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	220mA
Rds On (max.) à Id, Vgs	2,8ohms à 250mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	0,87nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	22pF à 25V
Puissance - Max.	300mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	SOT-363
Numéro de produit de base	DMN63

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