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Fiche technique
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Canal N 40 V 13,5 A (Ta) 2,19W (Ta) Montage en surface TO-252-3
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Canal N 40 V 13,5 A (Ta) 2,19W (Ta) Montage en surface TO-252-3
TO-252-3

DMN4015LK3-13

Numéro de produit DigiKey
DMN4015LK3-13DITR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant
DMN4015LK3-13
Description
MOSFET N-CH 40V 13.5A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 40 V 13,5 A (Ta) 2,19W (Ta) Montage en surface TO-252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
DMN4015LK3-13 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez DigiKey
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
13,5 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
15mohms à 14A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2072 pF @ 20 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,19W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-252-3
Boîtier
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base
DMN4015
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