Name: DMN3190LDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3190LDW-13DITR-ND
Price: 0.396 EUR
Availability: InStock

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DMN3190LDW-13
Numéro de produit DigiKey	DMN3190LDW-13DITR-ND - Bande et bobine DMN3190LDW-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN3190LDW-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3190LDW-13
Description	MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 1A 320mW Montage en surface SOT-363
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1A
Rds On (max.) à Id, Vgs	190mohms à 1,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	87pF à 20V
Puissance - Max.	320mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Boîtier fournisseur	SOT-363
Numéro de produit de base	DMN3190

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Quantité

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