Name: DMN3010LFG-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3010LFG-13DI-ND
Price: 0.23412 EUR
Availability: OutOfStock

DMN3010LFG-13
Numéro de produit DigiKey	DMN3010LFG-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN3010LFG-13
Description	MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 11 A (Ta), 30 A (Tc) 900mW (Ta) Montage en surface POWERDI3333-8
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	11 A (Ta), 30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	8,5mohms à 18A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2075 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	900mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	POWERDI3333-8
Boîtier	8-PowerVDFN
Numéro de produit de base	DMN3010

Prix unitaire sans TVA:	0,19510 €
Prix unitaire avec TVA:	0,23412 €

DMN3010LFG-13