Name: DMN2501UFB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2501UFB4-7TR-ND
Price: 0.468 EUR
Availability: InStock

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DMN2501UFB4-7
Numéro de produit DigiKey	31-DMN2501UFB4-7TR-ND - Bande et bobine 31-DMN2501UFB4-7CT-ND - Bande coupée (CT) 31-DMN2501UFB4-7DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2501UFB4-7
Description	MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 1 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface X2-DFN1006-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,8V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	400mohms à 600mA, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	2 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	82 pF @ 16 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	500mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	X2-DFN1006-3
Boîtier	3-XFDFN
Numéro de produit de base	DMN2501