Name: DMN2020LSN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN2020LSN-7DITR-ND
Price: 0.624 EUR
Availability: InStock

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DMN2020LSN-7
Numéro de produit DigiKey	DMN2020LSN-7DITR-ND - Bande et bobine DMN2020LSN-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN2020LSN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN2020LSN-7
Description	MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 6,9 A (Ta) 610mW (Ta) Montage en surface SC-59-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	6,9 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	2,5V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	20mohms à 9,4A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	1,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1149 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	610mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SC-59-3
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base	DMN2020