Name: DMN10H120SE-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H120SE-13DITR-ND
Price: 0.9 EUR
Availability: InStock

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DMN10H120SE-13
Numéro de produit DigiKey	DMN10H120SE-13DITR-ND - Bande et bobine DMN10H120SE-13DICT-ND - Bande coupée (CT) DMN10H120SE-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN10H120SE-13
Description	MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 3,6 A (Ta) 1,3W (Ta) Montage en surface SOT-223-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	110mohms à 3,3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	549 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,3W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-223-3
Boîtier	TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base	DMN10