Name: DMN1019UVT-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1019UVT-13DI-ND
Price: 0.11414 EUR
Availability: OutOfStock

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Diodes Incorporated

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DMN1019UVT-13
Numéro de produit DigiKey	DMN1019UVT-13DI-ND - Bande et bobine
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMN1019UVT-13
Description	MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 12 V 10,7 A (Ta) 1,73W (Ta) Montage en surface TSOT-26
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Diodes Incorporated
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	10,7 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	1,2V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs	10mohms à 9,7A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id	800mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	50.4 nC @ 8 V
Vgs (max.)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2588 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,73W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TSOT-26
Boîtier	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
Numéro de produit de base	DMN1019