MOSFET - Matrices 100V 6 A (Ta) 900mW Montage en surface V-DFN5045-12 (Type C)
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DMHT10H032LFJ-13

Numéro de produit DigiKey
31-DMHT10H032LFJ-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMHT10H032LFJ-13
Description
MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
12 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 100V 6 A (Ta) 900mW Montage en surface V-DFN5045-12 (Type C)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
4 canaux N (pont complet)
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
6 A (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs
33mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
11,9nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
683pF à 50V
Puissance - Max.
900mW
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
12-PowerVDFN
Boîtier fournisseur
V-DFN5045-12 (Type C)
Numéro de produit de base
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,38216 €1 146,48 €
6 0000,36174 €2 170,44 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,38216 €
Prix unitaire avec TVA:0,45859 €