Name: DMG1016V-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1016V-7DITR-ND
Price: 0.528 EUR
Availability: InStock

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DMG1016V-7
Numéro de produit DigiKey	DMG1016V-7DITR-ND - Bande et bobine DMG1016V-7DICT-ND - Bande coupée (CT) DMG1016V-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Diodes Incorporated
Numéro de produit du fabricant	DMG1016V-7
Description	MOSFET N/P-CH 20V 0.87A SOT563
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	40 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 20V 870mA, 640mA 530mW Montage en surface SOT-563
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	DMG1016V-7 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Diodes Incorporated	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0,74nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 60,67pF à 16V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 530mW
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration Canaux N et P	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier SOT-563, SOT-666
Tension drain-source (Vdss) 20V	Boîtier fournisseur SOT-563
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 870mA, 640mA	Numéro de produit de base DMG1016
Rds On (max.) à Id, Vgs 400mohms à 600mA, 4,5V

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Documents et supports

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