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Équivalent paramétrique


Diodes Incorporated
En stock: 0
Prix unitaire : 0,33000 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique


Diodes Incorporated
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Prix unitaire : 0,05612 €
Fiche technique

Équivalent paramétrique


Diodes Incorporated
En stock: 2 331
Prix unitaire : 0,33000 €
Fiche technique
SOT 563
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

DMC62D2SV-13

Numéro de produit DigiKey
31-DMC62D2SV-13TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
DMC62D2SV-13
Description
MOSFET N/P-CH 60V 0.48A SOT563
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
24 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 60V 480mA (Ta), 320mA (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-563
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Diodes Incorporated
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Actif
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
Canal N et P, complémentaire
Fonction FET
-
Tension drain-source (Vdss)
60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
480mA (Ta), 320mA (Ta)
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,7ohms à 200mA, 10V, 4ohms à 200mA, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA, 3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
1,04nC à 10V, 1,1nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
41pF à 30V, 40pF à 25V
Puissance - Max.
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Montage en surface
Boîtier
SOT-563, SOT-666
Boîtier fournisseur
SOT-563
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Disponible sur commande
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Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
10 0000,05097 €509,70 €
20 0000,04657 €931,40 €
30 0000,04432 €1 329,60 €
50 0000,04180 €2 090,00 €
70 0000,04031 €2 821,70 €
100 0000,03886 €3 886,00 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,05097 €
Prix unitaire avec TVA:0,06116 €