Name: CDF56G6517N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor Corp
SKU: 1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND
Price: 5.892 EUR
Availability: InStock

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CDF56G6517N TR13 PBFREE
Numéro de produit DigiKey	1514-CDF56G6517NTR13PBFREETR-ND - Bande et bobine 1514-CDF56G6517NTR13PBFREECT-ND - Bande coupée (CT) 1514-CDF56G6517NTR13PBFREEDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Central Semiconductor Corp
Numéro de produit du fabricant	CDF56G6517N TR13 PBFREE
Description	650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 17 A (Tc) 1,1W (Ta), 113W (Tc) Montage en surface, joints de brasure visibles 8-DFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	CDF56G6517N TR13 PBFREE Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Central Semiconductor Corp
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V
Rds On (max.) à Id, Vgs	140mohms à 5A, 6V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 17,2mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	3.5 nC @ 6 V
Vgs (max.)	+7V, -1,4V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	125 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,1W (Ta), 113W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier fournisseur	8-DFN (5x6)
Boîtier	8-PowerVDFN