Name: BY25Q128ESWIG(R)
Brand: BYTe Semiconductor
SKU: 5369-BY25Q128ESWIG(R)TR-ND
Price: 1.188 EUR
Availability: InStock

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BY25Q128ESWIG(R)
Numéro de produit DigiKey	5369-BY25Q128ESWIG(R)TR-ND - Bande et bobine 5369-BY25Q128ESWIG(R)CT-ND - Bande coupée (CT) 5369-BY25Q128ESWIG(R)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	BYTe Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BY25Q128ESWIG(R)
Description	IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	FLASH - NOR Mémoire IC 128Mb SPI - E/S quadruple 120 MHz 7.5 ns 8-WSON (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Circuits intégrés Mémoire Mémoire	Interface mémoire SPI - E/S quadruple
Fabricant BYTe Semiconductor	Fréquence d'horloge 120 MHz
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Temps de cycle d'écriture - Mot, page 60µs, 2,4ms
Statut du composant Actif	Temps d'accès 7.5 ns
Programmable DigiKey Vérifié	Tension - Alimentation 2,7V ~ 3,6V
Type de mémoire Non volatile	Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Format mémoire FLASH	Type de montage Montage en surface
Technologies FLASH - NOR	Boîtier 8-WDFN plot exposé
Taille mémoire 128Mb	Boîtier fournisseur 8-WSON (5x6)
Organisation de la mémoire 16 M x 8	Numéro de produit de base BY25Q128

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