Name: BY25FQ64ESWIG(R)
Brand: BYTe Semiconductor
SKU: 5369-BY25FQ64ESWIG(R)TR-ND
Price: 0.468 EUR
Availability: InStock

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BY25FQ64ESWIG(R)
Numéro de produit DigiKey	5369-BY25FQ64ESWIG(R)TR-ND - Bande et bobine 5369-BY25FQ64ESWIG(R)CT-ND - Bande coupée (CT) 5369-BY25FQ64ESWIG(R)DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	BYTe Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	BY25FQ64ESWIG(R)
Description	64 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -4
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	8 semaines
Référence client
Description détaillée	FLASH - NOR Mémoire IC 64Mb SPI - I/O quadruple, QPI, DTR 133 MHz 5 ns 8-WSON (5x6)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Circuits intégrés Mémoire Mémoire	Interface mémoire SPI - I/O quadruple, QPI, DTR
Fabricant BYTe Semiconductor	Fréquence d'horloge 133 MHz
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Temps de cycle d'écriture - Mot, page 300µs, 2,4ms
Statut du composant Actif	Temps d'accès 5 ns
Type de mémoire Non volatile	Tension - Alimentation 2,7V ~ 3,6V
Format mémoire FLASH	Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Technologies FLASH - NOR	Type de montage Montage en surface
Taille mémoire 64Mb	Boîtier 8-WDFN plot exposé
Organisation de la mémoire 8M x 8	Boîtier fournisseur 8-WSON (5x6)

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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