Name: AMTP65H150G4LSGB
Brand: Analog Power Inc.
SKU: 5318-AMTP65H150G4LSGB-ND
Price: 42.996 EUR
Availability: InStock

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AMTP65H150G4LSGB
Numéro de produit DigiKey	5318-AMTP65H150G4LSGB-ND
Fabricant	Analog Power Inc.
Numéro de produit du fabricant	AMTP65H150G4LSGB
Description	GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 13 A (Tc) 52W (Tc) Montage en surface 4-DFN (8x8)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Analog Power Inc.
Série	-
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	GaNFET (nitrure de gallium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	13 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	180mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	1V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.8 nC @ 6 V
Vgs (max.)	±18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	760 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	52W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	4-DFN (8x8)
Boîtier	4-PowerTSFN

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