AOTF7N60 est disponible à l'achat mais n'est pas normalement stocké.
Substituts disponibles:

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 12
Prix unitaire : 1,67000 €
Fiche technique

Similaire


Vishay Siliconix
En stock: 0
Prix unitaire : 1,73061 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 87
Prix unitaire : 2,01000 €
Fiche technique

Similaire


Rohm Semiconductor
En stock: 18
Prix unitaire : 2,41000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 1,04524 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1 744
Prix unitaire : 1,79000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 497
Prix unitaire : 2,57000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 0
Prix unitaire : 2,83000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 1 877
Prix unitaire : 1,56000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 772
Prix unitaire : 3,34000 €
Fiche technique

Similaire


STMicroelectronics
En stock: 992
Prix unitaire : 2,11000 €
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 58
Prix unitaire : 2,07000 €
Fiche technique

Similaire


Toshiba Semiconductor and Storage
En stock: 26
Prix unitaire : 2,68000 €
Fiche technique
Canal N 600 V 7 A (Tc) 38,5W (Tc) Trou traversant TO-220F
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AOTF7N60

Numéro de produit DigiKey
AOTF7N60-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AOTF7N60
Description
MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3F
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 7 A (Tc) 38,5W (Tc) Trou traversant TO-220F
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Pas pour les nouvelles conceptions
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1035 pF @ 25 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
38,5W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-220F
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,2ohms à 3,5A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (13)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPA80R1K2P7XKSA1Infineon Technologies12IPA80R1K2P7XKSA1-ND1,67000 €Similaire
IRFIBC40GLCPBFVishay Siliconix0IRFIBC40GLCPBF-ND1,73061 €Similaire
R6004ENXRohm Semiconductor87R6004ENX-ND2,01000 €Similaire
R6004KNXRohm Semiconductor18R6004KNX-ND2,41000 €Similaire
STF5N62K3STMicroelectronics0497-12583-5-ND1,04524 €Similaire
Disponible sur commande
Ce produit n'est pas maintenu en stock chez DigiKey. Le délai d'approvisionnement indiqué s'applique à l'expédition du fabricant à DigiKey. À réception du produit, DigiKey procédera à l'expédition pour satisfaire les commandes en cours.
Non recommandé pour une nouvelle conception, des quantités minimum peuvent s'appliquer. Voir Produits de substitution.
Tous les prix sont en EUR
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1 0000,53398 €533,98 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:0,53398 €
Prix unitaire avec TVA:0,64078 €