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AON6162 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | AON6162-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | AON6162 |
Description | MOSFET N-CHANNEL 60V 100A 8DFN |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 20 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 100 A (Tc) 215W (Tc) Montage en surface 8-DFN (5x6) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 100 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4850 pF @ 30 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 215W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur 8-DFN (5x6) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,1mohms à 20A, 10V |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STL140N6F7 | STMicroelectronics | 3 180 | 497-15911-1-ND | 2,74000 € | Similaire |
| TPH2R608NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TPH2R608NHL1QCT-ND | 1,88000 € | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,11712 € | 3 351,36 € |
| 6 000 | 1,10806 € | 6 648,36 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,11712 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,34054 € |
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