IGBT

Les transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont des dispositifs à semi-conducteurs à plusieurs couches dotés de trois bornes pouvant prendre en charge des courants élevés et présentent des fonctionnalités de commutation rapide. Ils sont caractérisés en fonction des éléments suivants : type, tension de claquage collecteur-émetteur, courant collecteur, courant collecteur pulsé, VCE(ON), énergie de commutation et charge de grille.