SSM3K324 Toshiba Semiconductor and Storage

Produits semi-conducteurs discrets | FET, MOSFET simples

	Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier

	SSM3K324R,LF MOSFET N-CH 30V 4A SOT-23F Toshiba Semiconductor and Storage	2 396 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07308 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	4 A (Ta)	1,8V, 4,5V	55mohms à 4A, 4,5V	-	±12V	190 pF @ 30 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates